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靜態(tài)二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）

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平均周期6.5天 | 總體滿意度99.85%

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質(zhì)譜儀（MS）

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平均周期5.2天 | 總體滿意度98.6%

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基質(zhì)輔助激光解吸-飛行時間質(zhì)譜儀（MALDI-TOF-MS）

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表征技術(shù)：飛行時間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）

飛行時間二次離子質(zhì)譜（ TOF-SIMS ）是一種結(jié)合二次離子質(zhì)譜與飛行時間質(zhì)量分析器的表面表征技術(shù)。該技術(shù)由 Beninghoven 教授團(tuán)隊于 20 世紀(jì) 80 年代初首次研制，后經(jīng)多次迭代升級，在分析性能、數(shù)據(jù)處理效率及軟件操作性方面均取得顯著提升。如今， TOF-SIMS 已成為成熟且應(yīng)...

2025-09-15

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二次離子質(zhì)譜大科普！TOF-SIMS實(shí)例分析

二次離子質(zhì)譜大科普！ TOF-SIMS 實(shí)例分析二次離子質(zhì)譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry ， SIMS ）是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，通過用一次離子激發(fā)樣品表面，打出的二次離子因質(zhì)量不同而飛行到探測器的時間不同，實(shí)現(xiàn)不同元素、同位素及分子結(jié)構(gòu)的探測。一、...

2024-01-19

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表面分析利器——TOF-SIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀

TOF-SIMS（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）是通過用一次離子激發(fā)樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據(jù)二次離子因不同的質(zhì)量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質(zhì)量的極高分辨率的測量技術(shù)。 TOF-SIMS具有極高分辨率，可以提供表面...

2023-12-11

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TOF-SIMS幾種不同濺射源的選擇

TOF-SIMS最早應(yīng)用于靜態(tài)SIMS，但隨著技術(shù)的發(fā)展迭代，TOF-SIMS也配備了濺射源，用于深層界面的分析和深度剖析。目前用于濺射的主要有雙束離子源（DSC）、氣體團(tuán)簇離子源（GCS）、FIB三種，本文將以M6為原型介紹這三種濺射源的性能、參數(shù)和實(shí)際應(yīng)用。雙束離子源（DSC O2/Cs） ...

2023-12-11

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一文認(rèn)識TOF-SIMS

一、 TOF-SIMS的原理及特點(diǎn) 飛行時間-二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS），是一種非常靈敏的表面分析技術(shù) 。它利用一次離子激發(fā)樣品表面微量的二次離子，根據(jù)二次離子飛行到探測器的時間不同來測定離子質(zhì)量。由于TOF-SIMS中離子飛行時間只依賴于它們的質(zhì)量，故其一次脈沖就可得到一個全譜，離子利...

2019-10-25

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